惠峰，1963年出生。1984年8月畢業于西安交通大學電子工程系。中國科學院半導體研究所研究員。中國科學院半導體研究所學術委員會委員。SEMI中國標準委會材料分會委員。中國電子材料行業協會委員。
自大學畢業一直從事研制電路需要的高質量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶工作。做為重大項目負責人，帶領課題組先后完成了國家“七.五”、“八.五”、“九.五”重點科技攻關、“十.五”國家八六三計劃重大項目，北京市重大科技項目等10多項科研和產業化任務。解決了晶體生長中熱場設計、提高單晶率；優化晶體生長和晶片加工工藝條件及批量生長的重復性等一系列關鍵工藝技術，多次獲得中科院科技進步二、三等獎；實用化生產高質量的砷化鎵、磷化銦及鍺單晶，達到當代同類商品先進水平。
1990年5月“IC用SI-GaAs熱穩定性和均勻性的研究”獲中國科學院科技進步三等獎。1993年12月獲中國科學院優秀青年。1996年5月，“Φ2″、Φ3″非摻砷化鎵單晶(片)的研究”獲中國科學院科技進步二等獎。1997年5月，“砷化鎵材料、器件與電路”獲中國科學院科技進步二等獎。2000年獲得國務院頒發的政府特殊津貼。
惠峰專家工作站，建在云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司。惠峰研究員多年主持開展了多項國家重大項目并建成擁有自主知識產權、具有先進水平的砷化鎵單晶產業化平臺，掌握了半導體單晶產業化生產關鍵技術。主持高效率太陽能電池用鍺單晶及晶片研究，掌握了多項核心技術，研制出3英寸、4英寸低位錯密度太陽能電池用鍺單晶。建站后將開展“高效率太陽電池用鍺單晶及晶片”項目，對于我國航空航天工業、電子產業等具有重要意義。
惠峰專家工作站突破了高效率太陽能電池用鍺單晶及開盒即用鍺晶片生產的關鍵技術，掌握了單晶爐設計制造及單晶生長工藝、開盒即用鍺晶片切磨拋關鍵工藝等核心技術，建成了年產30萬片開盒即用鍺晶片加工生產線，達到國際先進水平。解決了晶體生長中熱場設計、提高單晶率、優化晶體生長和晶片加工工藝條件及批量生長的重復性等一系列關鍵工藝技術，實用化生產高質量的太陽能鍺單晶。
